В чем разница между флэш-памятью и EEPROM?

Флэш-память и EEPROM используют транзисторы с плавающим затвором для хранения данных. Что отличается между двумя и почему Flash так намного быстрее?

63 голоса | спросил skyler 14 Maypm13 2013, 16:20:00

5 ответов


61

Первые устройства ПЗУ должны были иметь информацию, размещенную в них с помощью некоторых механических, фотолитографических или других средств (перед интегральными схемами было принято использовать сетку, в которой диоды могут быть выборочно установлены или опущены). Первым важным усовершенствованием стал «плавкий предохранитель-PROM» - чип, содержащий сетку из плавленных диодов, и рядно-приводные транзисторы, которые были достаточно прочными, чтобы выбрать ряд и заставить состояние выхода можно было продуть предохранители на любых диодах один не хотел. Хотя такие чипы были электрически перезаписываемыми, большинство устройств, в которых они были бы использованы, не имели мощной схемы привода, необходимой для их записи. Вместо этого они будут записаны с использованием устройства под названием «программист», а затем будут установлены в оборудовании, которое должно было бы их читать.

Следующим усовершенствованием стало устройство памяти с имплантированным зарядом, которое позволило заряжать электрически имплантированным, но не удаленным. Если такие устройства были упакованы в пакеты с ультрафиолетовым излучением (EPROM), их можно было бы стереть при воздействии ультрафиолетового излучения примерно на 5-30 минут. Это позволило повторно использовать устройства, содержимое которых оказалось нецелесообразным (например, багги или недоделанные версии программного обеспечения). Помещение одинаковых чипов в непрозрачный пакет позволяло им продаваться более недорого для приложений конечного пользователя, где маловероятно, что кто-то захочет их стереть и повторно использовать (OTPROM). Последующее улучшение позволило стереть устройства электрически без УФ-излучения (ранняя ЭСППЗУ).

Ранние устройства EEPROM могут быть уничтожены только в массовом порядке, а программирование требует условий, сильно отличающихся от условий, связанных с нормальной работой; следовательно, как и в устройствах PROM /EPROM, они обычно использовались в схемах, которые могли читать, но не записывать их. Более поздние усовершенствования EEPROM позволили стереть меньшие регионы, если не отдельные байты, а также позволили им записать те же схемы, которые использовали их. Тем не менее, имя не изменилось.

Когда на сцену вышла технология под названием «Flash ROM», для устройств EEPROM было довольно нормально разрешать отдельные байты стираться и перезаписываться в схеме приложения. Flash ROM был в некотором смысле шагом назад функционально, так как стирание могло иметь место только в больших кусках. Тем не менее, ограничение стирания на большие куски позволило хранить информацию гораздо компактнее, чем это было возможно с EEPROM. Кроме того, многие флэш-устройства имеют более быстрые циклы записи, но более медленные циклы стирания, чем это было бы типично для EEPROM-устройств (многие устройства EEPROM занимали бы 1-10 мс для записи байта и 5-50 мс для стирания; флеш-устройства обычно требовали бы менее 100US пишите, но для удаления требуется несколько сотен миллисекунд).

Я не знаю, что между флеш-памятью и EEPROM существует четкая разделительная линия, так как некоторые устройства, которые называются «флеш-памятью», могут быть стерты на основе каждого байта. Тем не менее, сегодняшняя тенденция, по-видимому, заключается в использовании термина «EEPROM» для устройств с возможностями для каждого байта и «вспышки» для устройств, которые поддерживают только стирание большого блока.

ответил supercat 14 Maypm13 2013, 19:44:30
22

Flash - это тип EEPROM (электрически стираемая программируемая постоянная память). «Flash» - скорее маркетинговый термин, чем конкретная технология. Тем не менее, эти термины имеют сортировку для обозначения типа EEPROM, который оптимизирован для больших размеров и плотности, обычно за счет больших блоков стирания и записи и более низкой выносливости.

ответил Olin Lathrop 14 Maypm13 2013, 16:31:25
21

Спойлер: EEPROM на самом деле является Flash.

Как ответ блестяще указал суперкарт, EEPROM - это эволюция более старых УФ-стираемых EPROM (EEPROM EEPROM означает «электрически стираемый»). Однако, несмотря на то, что это улучшение для его старого приятеля, способ хранения EEPROM на сегодняшний день - это точная флэш-память.



Единственное существенное различие между ними - логика чтения /записи /стирания.


  • Вспышка NAND (обычная вспышка):

    Может быть стерто только на страницах. блоков байтов. Вы можете читать и писать (по неписаным) одиночные байты, но для стирания требуется уничтожить много других байтов.

    В микроконтроллерах он обычно используется для хранения прошивки. Некоторые реализации поддерживают флеш-обработку из встроенного программного обеспечения, и в этом случае вы можете использовать эту флешку для хранения информации до тех пор, пока вы не испортите использованные страницы (в противном случае вы удалите свою прошивку).

  • Вспышка NOR (также EEPROM):

    Может читать, записывать и стирать отдельные байты. Его логика управления выложена таким образом, что все байты доступны индивидуально. Хотя это медленнее обычной вспышки, эта функция отличается меньшими /более старыми электронными устройствами. Например, более старые телевизоры и мониторы CRT использовали EEPROM для хранения пользовательских конфигураций, таких как яркий, контрастный и т. Д.

    В микроконтроллерах это то, что вы обычно используете для хранения конфигураций, состояний или данных калибровки. Это лучше, чем вспышка для этого, так как для стирания одного байта вам не нужно запоминать (ОЗУ) содержимое страницы, чтобы переписать его.



Интересный факт
Существует распространенное заблуждение, что NOR Flash использует NOR gates , а NAND Flash использует NAND gates (и на самом деле это кажется очевидно). Однако это неверно. Причиной для именования является сходство логики управления каждого типа памяти с символическими символами NAND и NOR.

ответил Filipe Nicoli 27 FebruaryEurope/MoscowbSat, 27 Feb 2016 19:21:16 +0300000000pmSat, 27 Feb 2016 19:21:16 +030016 2016, 19:21:16
4

Флеш-память - это вариация EE-PROM, которая становится популярной. Основное различие между флеш-памятью и EE-PROM заключается в процедуре стирания. EEE-PROM можно стереть на уровне регистра, но флэш-память должна стираться либо полностью, либо на уровне сектора.

ответил Siddharth Jain 21 FebruaryEurope/MoscowbFri, 21 Feb 2014 17:47:11 +0400000000pmFri, 21 Feb 2014 17:47:11 +040014 2014, 17:47:11
2

«Флеш-память» - это полный термин для хранения микросхем памяти (энергонезависимая память), а не для вращения дисков, таких как гибкий диск, CD, DVD, жесткий диск и т. д.

NOR и NAND - это оригинальные чипы флеш-памяти и были изобретены Fujio Masuoka во время работы в Toshiba примерно в 1980 году. Используются «NOR» и «NAND» на большинстве USB-накопителей.

Флэш-память также включает в себя как EEP-ROM (электрически стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство), так и NV-RAM (энергонезависимая память произвольного доступа). EEP-ROM дешевле и используется для хранения на большинстве устройств System-on-Chips и Android. NV-RAM более дорогая и используется для твердотельных дисков и хранения в устройствах Apple.

Новые чипы NV-RAM намного быстрее, чем EEP-ROM и другие технологии Flash.

Дополнительные сведения см. в следующих разделах: http://www.crifan.com/___flash_memory_nand_eeprom_nvram_and_others_zt/

ответил Neel 21 MaramTue, 21 Mar 2017 11:05:16 +03002017-03-21T11:05:16+03:0011 2017, 11:05:16

Похожие вопросы

Популярные теги

security × 330linux × 316macos × 2827 × 268performance × 244command-line × 241sql-server × 235joomla-3.x × 222java × 189c++ × 186windows × 180cisco × 168bash × 158c# × 142gmail × 139arduino-uno × 139javascript × 134ssh × 133seo × 132mysql × 132